vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS240
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS240

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFN240 MOSFETN-Channel75W200V 13.9A20/58nS1300pF0.25 ОмTO220SM
    IRFS240A MOSFETN-Channel73W200V 12.8A58nS1160pF0.18 ОмTO-3PF
    IRFS242 MOSFETN-Channel65W200V 11A TO-3P
    IRFY240 MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220M
    IRFY240C MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220MC
    Яндекс.Метрика