vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS242

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFS242

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BUZ32	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9.5A	-	-	0.4 Ом	TO220M
BUZ35	MOSFET	N-Channel	78W	200V			9.9A	-	-	0.4 Ом	TO3
IRF230	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A	20/60nS	600pF	0.49 Ом	TO3
IRF630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	TO-220
IRFI630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	I2PAK
IRFN240	MOSFET	N-Channel	75W	200V			13.9A	20/58nS	1300pF	0.25 Ом	TO220SM
IRFP230	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A				TO-3P
IRFS240	MOSFET	N-Channel	65W	200V			12.5A				TO-3P
IRFS240A	MOSFET	N-Channel	73W	200V			12.8A	58nS	1160pF	0.18 Ом	TO-3PF
IRFW630A	MOSFET	N-Channel	72W	200V			9A	29nS	500pF	0.4 Ом	TO-263
IRFY240	MOSFET	N-Channel	60W	200V			12A	37.6/152nS	1300pF	0.22 Ом	TO220M
IRFY240C	MOSFET	N-Channel	60W	200V			12A	37.6/152nS	1300pF	0.22 Ом	TO220MC
IRL630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	TO-220
IRLI630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	I2PAK
IRLW630A	MOSFET	N-Channel	69W	200V			9A	27nS	580pF	0.4 Ом	TO-263
SDF230JAA	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A
SDF230JAB	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A
SDF230JDA	MOSFET	N-Channel	75W	200V			9A			0.415 Ом	N/A