vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS331
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS331

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF720A MOSFETN-Channel46W400V 3.3A26nS385pF1.8 ОмTO-220
    IRF721 MOSFETN-Channel50W350V 3.3A--1.8 ОмTO220
    IRFI720A MOSFETN-Channel46W400V 3.3A26nS385pF1.8 ОмI2PAK
    IRFR320A MOSFETN-Channel41W400V 3.1A26nS385pF1.8 ОмDPAK
    IRFS330 MOSFETN-Channel42W400V 3.8A TO-3P
    IRFS332 MOSFETN-Channel42W400V 3.5A TO-3P
    IRFS333 MOSFETN-Channel42W350V 3.5A TO-3P
    IRFS730A MOSFETN-Channel38W400V 3.9A42nS675pF1 ОмTO-220F
    IRFU320A MOSFETN-Channel41W400V 3.1A26nS385pF1.8 ОмIPAK
    IRFW720A MOSFETN-Channel46W400V 3.3A26nS385pF1.8 ОмTO-263
    SDF320JAA MOSFETN-Channel50W400V 3.3A 1.8 ОмN/A
    SDF320JAB MOSFETN-Channel50W400V 3.3A 1.8 ОмN/A
    STP4N40FI MOSFETN-Channel35W400V 3A 2.100 ОмISOWATT220
    STP5N30FI MOSFETN-Channel35W300V 3A 1.400 ОмISOWATT220
    STP5N30LFI MOSFETN-Channel35W300V 3.5A 1.400 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика