vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP5N30FI
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP5N30FI

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.400 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOWATT220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFR224A MOSFETN-Channel42W250V 3.8A20nS335pF1.1 ОмDPAK
    IRFS331 MOSFETN-Channel42W350V 3.8A TO-3P
    IRFS333 MOSFETN-Channel42W350V 3.5A TO-3P
    IRFS624 MOSFETN-Channel30W250V 3.8A TO-220
    IRFS624A MOSFETN-Channel34W250V 3.4A20nS335pF1.1 ОмTO-220F
    IRFS625 MOSFETN-Channel30W250V 3.3A TO-220
    IRFS721 MOSFETN-Channel30W350V 3A TO-220
    IRFU224A MOSFETN-Channel42W250V 3.8A20nS335pF1.1 ОмIPAK
    STP5N25LFI MOSFETN-Channel35W250V 3.5A 1.100 ОмISOWATT-220
    STP5N30LFI MOSFETN-Channel35W300V 3.5A 1.400 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика