|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS432Основные параметры полевого транзистора IRFS432 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| BUZ74 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 500V | | | 2.4A | - | - | 3.0 Ом | TO220M | | BUZ74A |
MOSFET | N-Channel | 40W | 500V | | | 2A | - | - | 4.0 Ом | TO220M | | BUZ76 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 400V | | | 2.6A | - | - | 2.5 Ом | TO220M | | IRF710A |
MOSFET | N-Channel | 36W | 400V | | | 2A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | TO-220 | | IRF722 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 400V | | | 2.8A | - | - | 2.5 Ом | TO220 | | IRF821 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 450V | | | 2.5A | - | - | 3.0 Ом | TO220 | | IRF823 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 450V | | | 2.2A | - | - | 4.0 Ом | TO220 | | IRFI710A |
MOSFET | N-Channel | 36W | 400V | | | 2A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | I2PAK | | IRFI820A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 500V | | | 2.5A | 26nS | 390pF | 3 Ом | I2PAK | | IRFR420A |
MOSFET | N-Channel | 41W | 500V | | | 2.3A | 26nS | 390pF | 3 Ом | DPAK | | IRFS433 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 450V | | | 2.8A | | | | TO-3P | | IRFU420A |
MOSFET | N-Channel | 41W | 500V | | | 2.3A | 26nS | 390pF | 3 Ом | IPAK | | IRFW710A |
MOSFET | N-Channel | 36W | 400V | | | 2A | 14nS | 215pF | 3.6 Ом | TO-263 | | IRFW820A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 500V | | | 2.5A | 26nS | 390pF | 3 Ом | TO-263 | | PHX4N60E |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.25A | | | 2.5 Ом | SOT186A | | PHX6N60E |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.7A | | | 1.8 Ом | SOT186A | | SDF420 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2.5A | | | 3 Ом | N/A | | STK2N50 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2A | | | 6.000 Ом | SOT-82 | | STK3NA50 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2.7A | | | 3.800 Ом | SOT-82 | | STP2N60FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.2A | | | 3.500 Ом | ISOWATT220 | | STP3N60FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.7A | | | 2.200 Ом | ISOWATT220 | | STP3NA50FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 500V | | | 2.2A | | | 3.000 Ом | ISOWATT220 | | STP4NA60FI |
MOSFET | N-Channel | 40W | 600V | | | 2.7A | | | 2.200 Ом | ISOWATT220 | |
|
|
|