vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP4NA60FI
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STP4NA60FI

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.200 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOWATT220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ74 MOSFETN-Channel40W500V 2.4A--3.0 ОмTO220M
    BUZ74A MOSFETN-Channel40W500V 2A--4.0 ОмTO220M
    IRFR420A MOSFETN-Channel41W500V 2.3A26nS390pF3 ОмDPAK
    IRFS432 MOSFETN-Channel42W500V 2.8A TO-3P
    IRFS820A MOSFETN-Channel33W500V 2.1A26nS390pF3 ОмTO-220F
    IRFU420A MOSFETN-Channel41W500V 2.3A26nS390pF3 ОмIPAK
    PHX4N60E MOSFETN-Channel35W600V 2.25A 2.5 ОмSOT186A
    PHX6N60E MOSFETN-Channel35W600V 2.7A 1.8 ОмSOT186A
    SSS4N60AS MOSFETN-Channel33W600V 2.3A34nS545pF2.5 ОмTO-220F
    STP2N60FI MOSFETN-Channel35W600V 2.2A 3.500 ОмISOWATT220
    STP3N60FI MOSFETN-Channel35W600V 2.7A 2.200 ОмISOWATT220
    STP3NA50FI MOSFETN-Channel35W500V 2.2A 3.000 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика