vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS443
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS443

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ41A MOSFETN-Channel75W500V 4.5A--1.5 ОмTO220M
    BUZ42 MOSFETN-Channel75W500V 4A--2.0 ОмTO3
    BUZ46 MOSFETN-Channel78W500V 4.2A--2.0 ОмTO3
    BUZ60B MOSFETN-Channel75W400V 4.5A--1.5 ОмTO220M
    IRF430 MOSFETN-Channel75W500V 4.5A30/80nS610pF1.8 ОмTO3
    IRF732 MOSFETN-Channel75W400V 4.5A--1.5 ОмTO220
    IRF832 MOSFETN-Channel75W500V 4A--2.0 ОмTO220
    IRF833 MOSFETN-Channel75W450V 4A--2.0 ОмTO220
    IRFI830A MOSFETN-Channel73W500V 4.5A43nS690pF1.5 ОмI2PAK
    IRFP430 MOSFETN-Channel75W500V 4.5A TO-3P
    IRFP431 MOSFETN-Channel75W450V 4.5A TO-3P
    IRFP432 MOSFETN-Channel75W500V 4.A TO-3P
    IRFP433 MOSFETN-Channel75W450V 4.A TO-3P
    IRFS442 MOSFETN-Channel65W500V 4.8A TO-3P
    IRFW830A MOSFETN-Channel73W500V 4.5A43nS690pF1.5 ОмTO-263
    SDF430JAA MOSFETN-Channel75W500V 4.5A 1.5 ОмN/A
    SDF430JAB MOSFETN-Channel75W500V 4.5A 1.5 ОмN/A
    SDF430JDA MOSFETN-Channel75W500V 4.5A 1.5 ОмN/A
    STP4N40 MOSFETN-Channel75W400V 4A 2.100 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика