|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP4N40Основные параметры полевого транзистора STP4N40 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.100 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| BUZ60B |
MOSFET | N-Channel | 75W | 400V | | | 4.5A | - | - | 1.5 Ом | TO220M | | IRF732 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 400V | | | 4.5A | - | - | 1.5 Ом | TO220 | | IRF733 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 350V | | | 4.5A | - | - | 1.5 Ом | TO220 | | IRF833 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 450V | | | 4A | - | - | 2.0 Ом | TO220 | | IRFP431 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 450V | | | 4.5A | | | | TO-3P | | IRFP433 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 450V | | | 4.A | | | | TO-3P | | IRFS443 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 450V | | | 4.8A | | | | TO-3P | |
|
|
|