vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS522
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS522

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6796SM MOSFETN-Channel25W100V 8A--0.18 ОмTO220SM
    2SK1186 MOSFETN-Channel30W100V 9A 350pF0.27 ОмFM20
    IRFF130 MOSFETN-Channel25W100V 8A30/40nS650pF0.207 ОмTO39
    IRFR120A MOSFETN-Channel32W100V 8.4A22nS370pF0.2 ОмDPAK
    IRFS520 MOSFETN-Channel30W100V 9.2A TO-220
    IRFS520A MOSFETN-Channel28W100V 7.2A22nS370pF0.2 ОмTO-220F
    IRFS521 MOSFETN-Channel30W80V 9.2A TO-220
    IRFS523 MOSFETN-Channel30W80V 8A TO-220
    IRFU120A MOSFETN-Channel32W100V 8.4A22nS370pF0.2 ОмIPAK
    IRFY120 MOSFETN-Channel30W100V 7.3A15/40nS350pF0.36 ОмTO220M
    IRFY120C MOSFETN-Channel30W100V 7.3A15/40nS350pF0.36 ОмTO220MC
    IRLR120A MOSFETN-Channel35W100V 8.4A15nS340pF0.22 ОмDPAK
    IRLS520A MOSFETN-Channel30W100V 7.2A15nS340pF0.22 ОмTO-220F
    IRLU120A MOSFETN-Channel35W100V 8.4A15nS340pF0.22 ОмIPAK
    STP13N10LFI MOSFETN-Channel35W100V 9A 0.200 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика