vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS520
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS520

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6796SM MOSFETN-Channel25W100V 8A--0.18 ОмTO220SM
    2SK1186 MOSFETN-Channel30W100V 9A 350pF0.27 ОмFM20
    2SK3152 MOSFETN-Channel25W120V ±20V10A 580pF130 ОмTO-220FM
    2SK3212 MOSFETN-Channel25W100V ±20V10A 420pF130 ОмTO-220FM
    IRFF130 MOSFETN-Channel25W100V 8A30/40nS650pF0.207 ОмTO39
    IRFR120A MOSFETN-Channel32W100V 8.4A22nS370pF0.2 ОмDPAK
    IRFS521 MOSFETN-Channel30W80V 9.2A TO-220
    IRFS522 MOSFETN-Channel30W100V 8A TO-220
    IRFS523 MOSFETN-Channel30W80V 8A TO-220
    IRFS530A MOSFETN-Channel32W100V 10.7A36nS610pF0.11 ОмTO-220F
    IRFS9532 MOSFETP-Channel35W100V 10A TO-220
    IRFU120A MOSFETN-Channel32W100V 8.4A22nS370pF0.2 ОмIPAK
    IRLR120A MOSFETN-Channel35W100V 8.4A15nS340pF0.22 ОмDPAK
    IRLS530A MOSFETN-Channel36W100V 10.7A24nS580pF0.12 ОмTO-220F
    IRLU120A MOSFETN-Channel35W100V 8.4A15nS340pF0.22 ОмIPAK
    STP13N10LFI MOSFETN-Channel35W100V 9A 0.200 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика