vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS625
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS625

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.3A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1183 MOSFETN-Channel25W200V 3A 140pF1.5 ОмFM20
    IRFS624 MOSFETN-Channel30W250V 3.8A TO-220
    IRFS624A MOSFETN-Channel34W250V 3.4A20nS335pF1.1 ОмTO-220F
    IRFS9620 MOSFETP-Channel30W200V 3.5A TO-220
    IRFS9622 MOSFETP-Channel30W200V 3A TO-220
    IRL610A MOSFETN-Channel33W200V 3.3A9nS185pF1.5 ОмTO-220
    IRLI610A MOSFETN-Channel33W200V 3.3A9nS185pF1.5 ОмI2PAK
    IRLW610A MOSFETN-Channel33W200V 3.3A9nS185pF1.5 ОмTO-263
    SFR9220 MOSFETP-Channel30W200V 3.1A19nS415pF1.5 ОмDPAK
    SFS9634 MOSFETP-Channel33W200V 3.4A37nS750pF1.3 ОмTO-220F
    STP5N25LFI MOSFETN-Channel35W250V 3.5A 1.100 ОмISOWATT-220
    STP5N30FI MOSFETN-Channel35W300V 3A 1.400 ОмISOWATT220
    STP5N30LFI MOSFETN-Channel35W300V 3.5A 1.400 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика