vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS823
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS823

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6801 MOSFETN-Channel25W450V 2.5A30/30nS900pF1.5 ОмTO-205
    2N6801-SM MOSFETN-Channel25W450V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    2N6801LCC4 MOSFETN-Channel25W450V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    2N6802SM MOSFETN-Channel25W500V 2.5A--1.5 ОмTO220SM
    2SK1177 MOSFETN-Channel30W500V 2.5A 350pF3.0 ОмFM20
    IRF710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмTO-220
    IRFF430 MOSFETN-Channel25W500V 2.5A30/55nS610pF1.725 ОмTO39
    IRFI710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмI2PAK
    IRFS720A MOSFETN-Channel33W400V 2.8A26nS385pF1.8 ОмTO-220F
    IRFS722 MOSFETN-Channel30W400V 2.5A TO-220
    IRFS820 MOSFETN-Channel30W500V 2.5A TO-220
    IRFS820A MOSFETN-Channel33W500V 2.1A26nS390pF3 ОмTO-220F
    IRFS821 MOSFETN-Channel30W450V 2.5A TO-220
    IRFS822 MOSFETN-Channel30W500V 2.2A TO-220
    IRFW710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмTO-263
    PHX4ND40E MOSFETN-Channel30W400V 2.2A 1.8 ОмSOT186A
    STP3NA50FI MOSFETN-Channel35W500V 2.2A 3.000 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика