vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS820A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS820A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 33W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 26nS
    • Входная емкость (Сiss): 390pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1177 MOSFETN-Channel30W500V 2.5A 350pF3.0 ОмFM20
    2SK2848 MOSFETN-Channel30W600V 2A 290pF3.8 ОмFM20
    IRF710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмTO-220
    IRFI710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмI2PAK
    IRFS720A MOSFETN-Channel33W400V 2.8A26nS385pF1.8 ОмTO-220F
    IRFS722 MOSFETN-Channel30W400V 2.5A TO-220
    IRFS820 MOSFETN-Channel30W500V 2.5A TO-220
    IRFS821 MOSFETN-Channel30W450V 2.5A TO-220
    IRFS822 MOSFETN-Channel30W500V 2.2A TO-220
    IRFS823 MOSFETN-Channel30W450V 2.2A TO-220
    IRFW710A MOSFETN-Channel36W400V 2A14nS215pF3.6 ОмTO-263
    PHX4N60E MOSFETN-Channel35W600V 2.25A 2.5 ОмSOT186A
    PHX4ND40E MOSFETN-Channel30W400V 2.2A 1.8 ОмSOT186A
    PHX6N60E MOSFETN-Channel35W600V 2.7A 1.8 ОмSOT186A
    SSS4N60AS MOSFETN-Channel33W600V 2.3A34nS545pF2.5 ОмTO-220F
    STP2N60FI MOSFETN-Channel35W600V 2.2A 3.500 ОмISOWATT220
    STP3N60FI MOSFETN-Channel35W600V 2.7A 2.200 ОмISOWATT220
    STP3N60XI MOSFETN-Channel28W600V 2.4A 2.500 ОмISOWATT221
    STP3NA50FI MOSFETN-Channel35W500V 2.2A 3.000 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика