vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SJ138
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SJ138

    • Структура (технология): FET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
    • Производитель: NEC
    • Тип корпуса: MP-25
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF530A MOSFETN-Channel55W100V 14A36nS610pF0.11 ОмTO-220
    IRFI530A MOSFETN-Channel55W100V 14A36nS610pF0.11 ОмI2PAK
    IRFS9140 MOSFETP-Channel65W100V 13.2A TO-3P
    IRFS9142 MOSFETP-Channel65W100V 10.4A TO-3P
    IRFW530A MOSFETN-Channel55W100V 14A36nS610pF0.11 ОмTO-263
    IRFY9140 MOSFETP-Channel60W100V 13A35/85nS1400pF0.24 ОмTO220M
    IRFY9140C MOSFETP-Channel60W100V 13A35/85nS1400pF0.24 ОмTO220M
    IRL530A MOSFETN-Channel62W100V 14A24nS580pF0.12 ОмTO-220
    IRLI530A MOSFETN-Channel62W100V 14A24nS580pF0.12 ОмI2PAK
    IRLW530A MOSFETN-Channel62W100V 14A24nS580pF0.12 ОмTO-263
    NDB408A MOSFETN-Channel50W80V 12A 0.16 ОмTO-263
    NDP408A MOSFETN-Channel50W80V 12A 0.16 ОмTO-220
    SFP9530 MOSFETP-Channel66W100V 10.5A38nS800pF0.3 ОмTO-220
    SFS9540 MOSFETP-Channel53W100V 10.7A54nS1180pF0.2 ОмTO-220F
    SFW9530 MOSFETP-Channel66W100V 10.5A38nS800pF0.3 ОмTO-263
    STK14N10 MOSFETN-Channel65W100V 14A 0.140 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика