vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS9141
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS9141

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUK101-50DL MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.06 ОмTO220AB
    BUK101-50GL MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.06 ОмTO220AB
    BUK101-50GS MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.05 ОмTO220AB
    BUK109-50DL MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.06 ОмSOT404
    BUK109-50GL MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.06 ОмSOT404
    BUK109-50GS MOSFETN-Channel75W50V 13A 0.05 ОмSOT404
    IRF9531 MOSFETP-Channel75W60V 12A200/280nS TO-220
    IRF9Z32 MOSFETP-Channel75W50V 15A TO-220
    IRF9Z35 MOSFETP-Channel75W60V 15A TO-220
    IRFP9131 MOSFETP-Channel75W60V 12A TO-3P
    IRFZ25 MOSFETN-Channel60W60V 14A TO-220
    STP15N06L MOSFETN-Channel70W60V 15A 0.150 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика