vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFZ25

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFZ25

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 14A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2SJ549	MOSFET	P-Channel	50W	60V		±20V	12A		600pF	0.16 Ом	LDPAK
2SJ550	MOSFET	P-Channel	50W	60V		±20V	15A		850pF	0.105 Ом	LDPAK
IRFS9141	MOSFET	P-Channel	65W	60V			13.2A				TO-3P
IRLZ20	MOSFET	N-Channel	50W	50V			15A				TO-220
IRLZ24	MOSFET	N-Channel	50W	60V			15A				TO-220
NDB4050	MOSFET	N-Channel	50W	50V			15A			0.1 Ом	TO-263
NDB4050L	MOSFET	N-Channel	50W	50V			15A			0.08 Ом	TO-263
NDB4060	MOSFET	N-Channel	50W	60V			15A			0.1 Ом	TO-263
NDB4060L	MOSFET	N-Channel	50W	60V			15A			0.08 Ом	TO-263
NDP4050	MOSFET	N-Channel	50W	50V			15A			0.1 Ом	TO-220
NDP4050L	MOSFET	N-Channel	50W	50V			15A			0.08 Ом	TO-220
NDP4060	MOSFET	N-Channel	50W	60V			15A			0.1 Ом	TO-220
NDP4060L	MOSFET	N-Channel	50W	60V			15A			0.08 Ом	TO-220
SFR9034	MOSFET	P-Channel	49W	60V			14A	38nS	890pF	0.14 Ом	DPAK
SFU9034	MOSFET	P-Channel	49W	60V			14A	38nS	890pF	0.14 Ом	IPAK
STK12N05L	MOSFET	N-Channel	50W	50V			12A			0.150 Ом	SOT-82
STK12N06L	MOSFET	N-Channel	50W	60V			12A			0.150 Ом	SOT-82
STK14N05	MOSFET	N-Channel	50W	50V			14A			0.120 Ом	SOT-82
STK14N06	MOSFET	N-Channel	50W	60V			14A			0.120 Ом	SOT-82
STK3055E	MOSFET	N-Channel	50W	60V			12A			0.150 Ом	SOT-82
STP15N06L	MOSFET	N-Channel	70W	60V			15A			0.150 Ом	TO-220