vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFSZ35

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFSZ35

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2SJ504	MOSFET	P-Channel	30W	60V		±20V	20A		1750pF	0.065 Ом	TO-220FM
2SJ532	MOSFET	P-Channel	30W	60V		±20V	20A		1750pF	0.065 Ом	TO-220CFM
2SJ533	MOSFET	P-Channel	35W	60V		±20V	30A		2500pF	0.038 Ом	TO-220CFM
2SJ535	MOSFET	P-Channel	35W	60V		±20V	30A		2500pF	0.038 Ом	TO-220FM
2SK1190	MOSFET	N-Channel	35W	60V			22A		1300pF	0.05 Ом	FM20
2SK1191	MOSFET	N-Channel	40W	60V			30A		2500pF	0.028 Ом	FM20
2SK2419	MOSFET	N-Channel	35W	60V			22A		1300	0.037 Ом	FM20
2SK2420	MOSFET	N-Channel	40W	60V			30A		2200	0.028 Ом	FM20
2SK2869	MOSFET	N-Channel	30W	60V		±20V	20A		740pF	0.055 Ом	DPAK
IRFSZ30	MOSFET	N-Channel	35W	50V			30A				TO-220
IRFSZ32	MOSFET	N-Channel	35W	50V			25A				TO-220
IRFSZ34	MOSFET	N-Channel	35W	60V			30A				TO-220
IRFSZ34A	MOSFET	N-Channel	34W	60V			20A	54nS	1040pF	0.04 Ом	TO-220F
IRLSZ34A	MOSFET	N-Channel	37W	60V			20A	35nS	970pF	0.046 Ом	TO-220F
STP36N05LFI	MOSFET	N-Channel	40W	50V			21A			0.040 Ом	ISOWATT220
STP36N06FI	MOSFET	N-Channel	40W	60V			21A			0.040 Ом	ISOWATT220
STP36N06LFI	MOSFET	N-Channel	40W	60V			21A			0.040 Ом	ISOWATT220
STP40N05FI	MOSFET	N-Channel	40W	50V			23A			0.035 Ом	ISOWATT220
STP50N05LFI	MOSFET	N-Channel	40W	50V			24A			0.028 Ом	ISOWATT220
STP50N06LFI	MOSFET	N-Channel	40W	60V			24A			0.028 Ом	ISOWATT220