vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFSZ30
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFSZ30

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 30A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ533 MOSFETP-Channel35W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмTO-220CFM
    2SJ535 MOSFETP-Channel35W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмTO-220FM
    2SK1191 MOSFETN-Channel40W60V 30A 2500pF0.028 ОмFM20
    2SK2420 MOSFETN-Channel40W60V 30A 22000.028 ОмFM20
    2SK2935 MOSFETN-Channel30W60V ±20V35A 1100pF0.032 ОмTO-220CFM
    IRFSZ32 MOSFETN-Channel35W50V 25A TO-220
    IRFSZ34 MOSFETN-Channel35W60V 30A TO-220
    IRFSZ35 MOSFETN-Channel35W60V 25A TO-220
    IRFSZ40 MOSFETN-Channel40W50V 35A TO-220
    IRFSZ42 MOSFETN-Channel40W50V 35A TO-220
    IRFSZ44 MOSFETN-Channel40W60V 35A TO-220
    IRFSZ45 MOSFETN-Channel40W60V 35A TO-220
    STP50N05LFI MOSFETN-Channel40W50V 24A 0.028 ОмISOWATT220
    STP50N06LFI MOSFETN-Channel40W60V 24A 0.028 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика