vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFSZ40
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFSZ40

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ533 MOSFETP-Channel35W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмTO-220CFM
    2SJ535 MOSFETP-Channel35W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмTO-220FM
    2SK1191 MOSFETN-Channel40W60V 30A 2500pF0.028 ОмFM20
    2SK2420 MOSFETN-Channel40W60V 30A 22000.028 ОмFM20
    2SK2421 MOSFETN-Channel40W60V 40A 24000.02 ОмFM20
    IRFSZ30 MOSFETN-Channel35W50V 30A TO-220
    IRFSZ34 MOSFETN-Channel35W60V 30A TO-220
    IRFSZ42 MOSFETN-Channel40W50V 35A TO-220
    IRFSZ44 MOSFETN-Channel40W60V 35A TO-220
    IRFSZ44A MOSFETN-Channel45W60V 30A83nS1770pF0.024 ОмTO-220F
    IRFSZ45 MOSFETN-Channel40W60V 35A TO-220
    IRLSZ44A MOSFETN-Channel45W60V 30A55nS1530pF0.025 ОмTO-220F
    STP55N05LFI MOSFETN-Channel45W50V 30A 0.023 ОмISOWATT220
    STP55N06LFI MOSFETN-Channel45W60V 30A 0.023 ОмISOWATT220
    STP60N05FI MOSFETN-Channel45W50V 32A 0.020 ОмISOWATT220
    STP60N06FI MOSFETN-Channel45W60V 32A 0.020 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика