vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFU015

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFU015

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.7A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: I-PAK
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6787	MOSFET	N-Channel	20W	60V			6A	70/70nS	600pF	0.03 Ом	TO-205AF
2N6787-SM	MOSFET	N-Channel	20W	60V			6A	-	-	1.8 Ом	TO220SM
2N6787LCC4	MOSFET	N-Channel	20W	60V			6A	-	-	1.8 Ом	LCC4
2SJ425	MOSFET	P-Channel	25W	60V			5A		270pF	0.5 Ом	FM20
2SJ527	MOSFET	P-Channel	20W	60V		±20V	5A		220pF	0.05 Ом	DPAK
2SJ528	MOSFET	P-Channel	20W	60V		±20V	7A		400pF	0.24 Ом	DPAK
2SK2796	MOSFET	N-Channel	20W	60V		±20V	5A		180pF	0.16 Ом	DPAK
F5017H	MOSFET	N-Channel	30W	60V			6A			0.16 Ом	TO-220F5
IRFF9024	MOSFET	P-Channel	20W	60V			6.4A	20/23nS	570pF	0.29 Ом	TO39
IRFR012	MOSFET	N-Channel	25W	50V			6.7A				D-PAK
IRFR015	MOSFET	N-Channel	25W	60V			6.7A				D-PAK
IRFR9010	MOSFET	P-Channel	25W	50V			5.3A				D-PAK
IRFS9521	MOSFET	P-Channel	30W	60V			6A				TO-220
IRFS9523	MOSFET	P-Channel	30W	60V			5A				TO-220
IRFU012	MOSFET	N-Channel	25W	50V			6.7A				I-PAK
IRFU9010	MOSFET	P-Channel	25W	50V			5.3A				I-PAK
SFR9014	MOSFET	P-Channel	24W	60V			5.3A	11nS	270pF	0.5 Ом	DPAK
SFS2955	MOSFET	P-Channel	29W	60V			7.3A	19nS	465pF	0.3 Ом	TO-220F
SFS9Z14	MOSFET	P-Channel	24W	60V			5.3A	11nS	270pF	0.5 Ом	TO-220F
SFS9Z24	MOSFET	P-Channel	29W	60V			7.5A	19nS	465pF	0.28 Ом	TO-220F
SFU9014	MOSFET	P-Channel	24W	60V			5.3A	11nS	270pF	0.5 Ом	IPAK