vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFY044C
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFY044C

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 23/81nS
    • Входная емкость (Сiss): 2400
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.035 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220MC
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ542 MOSFETP-Channel60W60V ±20V18A 1300pF0.07 ОмTO-220AB
    2SJ551 MOSFETP-Channel60W60V ±20V18A 1300pF0.07 ОмLDPAK
    IRFY044 MOSFETN-Channel60W60V 20A23/81nS2400pF0.035 ОмTO220M
    STD17N05 MOSFETN-Channel55W50V 17A DPAK
    STD17N05L MOSFETN-Channel55W50V 17A DPAK
    STD17N06 MOSFETN-Channel55W60V 17A DPAK
    STD17N06L MOSFETN-Channel55W60V 17A DPAK
    STK18N05 MOSFETN-Channel60W50V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N05L MOSFETN-Channel60W50V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N06 MOSFETN-Channel60W60V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N06L MOSFETN-Channel60W60V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK22N05 MOSFETN-Channel65W50V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK22N06 MOSFETN-Channel65W60V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK23N05L MOSFETN-Channel65W50V 23A 0.055 ОмSOT-82
    STK23N06L MOSFETN-Channel65W60V 23A 0.055 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика