vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STK22N06

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора STK22N06

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 22A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.065 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: SOT-82
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2SJ542	MOSFET	P-Channel	60W	60V		±20V	18A		1300pF	0.07 Ом	TO-220AB
2SJ543	MOSFET	P-Channel	75W	60V		±20V	20A		1750pF	0.065 Ом	TO-220AB
2SJ551	MOSFET	P-Channel	60W	60V		±20V	18A		1300pF	0.07 Ом	LDPAK
2SJ552	MOSFET	P-Channel	75W	60V		±20V	20A		1750pF	0.065 Ом	LDPAK
IRF9Z30	MOSFET	P-Channel	75W	50V			18A				TO-220
IRF9Z34	MOSFET	P-Channel	75W	60V			18A				TO-220
IRFY044	MOSFET	N-Channel	60W	60V			20A	23/81nS	2400pF	0.035 Ом	TO220M
IRFY044C	MOSFET	N-Channel	60W	60V			20A	23/81nS	2400	0.035 Ом	TO220MC
NDB5060	MOSFET	N-Channel	68W	60V			26A			0.05 Ом	TO-263
NDB5060L	MOSFET	N-Channel	68W	60V			26A			0.035 Ом	TO-263
NDP5060	MOSFET	N-Channel	68W	60V			26A			0.05 Ом	TO-220
NDP5060L	MOSFET	N-Channel	68W	60V			26A			0.035 Ом	TO-220
STK18N05	MOSFET	N-Channel	60W	50V			18A			0.085 Ом	SOT-82
STK18N05L	MOSFET	N-Channel	60W	50V			18A			0.085 Ом	SOT-82
STK18N06	MOSFET	N-Channel	60W	60V			18A			0.085 Ом	SOT-82
STK18N06L	MOSFET	N-Channel	60W	60V			18A			0.085 Ом	SOT-82
STK22N05	MOSFET	N-Channel	65W	50V			22A			0.065 Ом	SOT-82
STK23N05L	MOSFET	N-Channel	65W	50V			23A			0.055 Ом	SOT-82
STK23N06L	MOSFET	N-Channel	65W	60V			23A			0.055 Ом	SOT-82