vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFZ10

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRFZ10

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 43W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.2A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BUK100-50DL	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.125 Ом	TO220AB
BUK100-50GS	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	TO220AB
BUK104-50L	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263
BUK104-50LP	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263-01
BUK104-50SP	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263-01
BUK108-50GS	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT404
BUK114-50L	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT426
BUK114-50S	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT426
FDD5202P	MOSFET	P-Channel	39W	60V			8A	22nS	560pF	0.3 Ом	DPAK
IRF9521	MOSFET	P-Channel	40W	60V			6A	150/200nS			TO-220
IRF9Z22	MOSFET	P-Channel	40W	50V			8.9A				TO-220
IRF9Z25	MOSFET	P-Channel	40W	60V			8.9A				TO-220
IRFS9131	MOSFET	P-Channel	42W	60V			8.3A				TO-3P
IRFS9133	MOSFET	P-Channel	42W	60V			6.9A				TO-3P
IRFZ15	MOSFET	N-Channel	43W	60V			8.3A				TO-220
PHD3055E	MOSFET	N-Channel	50W	60V			6A			0.15 Ом	SOT428
PHP3055E	MOSFET	N-Channel	50W	60V			6A			0.15 Ом	SOT78
PHP3055L	MOSFET	N-Channel	50W	60V			6A			0.18 Ом	SOT78
SFI9520	MOSFET	P-Channel	49W	60V			6A	20nS	425pF	0.6 Ом	I2PAK
SFI9Z14	MOSFET	P-Channel	38W	60V			6.7A	11nS	270pF	0.5 Ом	I2PAK
SFP9Z14	MOSFET	P-Channel	38W	60V			6.7A	11nS	270pF	0.5 Ом	TO-220
SFW9Z14	MOSFET	P-Channel	38W	60V			6.7A	11nS	270pF	0.5 Ом	TO-263