vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9Z25

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IRF9Z25

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.9A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BUK100-50DL	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.125 Ом	TO220AB
BUK100-50GS	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	TO220AB
BUK104-50L	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263
BUK104-50LP	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263-01
BUK104-50SP	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT263-01
BUK108-50GS	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT404
BUK114-50L	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT426
BUK114-50S	MOSFET	N-Channel	40W	50V			7.5A			0.1 Ом	SOT426
FDD5202P	MOSFET	P-Channel	39W	60V			8A	22nS	560pF	0.3 Ом	DPAK
IRF9Z20	MOSFET	P-Channel	40W	50V			9.8A				TO-220
IRF9Z22	MOSFET	P-Channel	40W	50V			8.9A				TO-220
IRF9Z24	MOSFET	P-Channel	40W	60V			9.8A				TO-220
IRFR9020	MOSFET	P-Channel	42W	50V			9.9A				D-PAK
IRFR9022	MOSFET	P-Channel	42W	50V			9A				D-PAK
IRFS9131	MOSFET	P-Channel	42W	60V			8.3A				TO-3P
IRFU9020	MOSFET	P-Channel	42W	50V			9.9A				I-PAK
IRFU9022	MOSFET	P-Channel	42W	50V			9A				I-PAK
IRFZ10	MOSFET	N-Channel	43W	50V			7.2A				TO-220
IRFZ15	MOSFET	N-Channel	43W	60V			8.3A				TO-220
SFR2955	MOSFET	P-Channel	32W	60V			7.6A	19nS	465pF	0.3 Ом	DPAK
SFR9024	MOSFET	P-Channel	32W	60V			7.8A	19nS	465pF	0.28 Ом	DPAK
SFU2955	MOSFET	P-Channel	32W	60V			7.6A	19nS	465pF	0.3 Ом	IPAK
SFU9024	MOSFET	P-Channel	32W	60V			7.8A	19nS	465pF	0.28 Ом	IPAK