|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRLZ14Основные параметры полевого транзистора IRLZ14 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6795 |
MOSFET | N-channel | 25W | 60V | | | 8A | 75/45nS | 900pF | 0.018 Ом | TO-205AF | 2N6795-SM |
MOSFET | N-Channel | 25W | 60V | | | 8A | - | - | 0.18 Ом | TO220SM | 2SJ424 |
MOSFET | P-Channel | 30W | 60V | | | 8A | | 580pF | 0.28 Ом | FM20 | IRFR010 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 50V | | | 8.2A | | | | D-PAK | IRFU010 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 50V | | | 8.2A | | | | I-PAK | IRFU014 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 60V | | | 8.2A | | | | I-PAK | IRLR010 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 50V | | | 8.2A | | | | D-PAK | IRLR014 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 60V | | | 8.2A | | | | D-PAK | IRLU010 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 50V | | | 8.2A | | | | I-PAK | IRLU014 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 60V | | | 8.2A | | | | I-PAK | IRLZ10 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 50V | | | 8A | | | | TO-220 | SFR2955 |
MOSFET | P-Channel | 32W | 60V | | | 7.6A | 19nS | 465pF | 0.3 Ом | DPAK | SFR9024 |
MOSFET | P-Channel | 32W | 60V | | | 7.8A | 19nS | 465pF | 0.28 Ом | DPAK | SFS2955 |
MOSFET | P-Channel | 29W | 60V | | | 7.3A | 19nS | 465pF | 0.3 Ом | TO-220F | SFS9Z24 |
MOSFET | P-Channel | 29W | 60V | | | 7.5A | 19nS | 465pF | 0.28 Ом | TO-220F | SFU2955 |
MOSFET | P-Channel | 32W | 60V | | | 7.6A | 19nS | 465pF | 0.3 Ом | IPAK | SFU9024 |
MOSFET | P-Channel | 32W | 60V | | | 7.8A | 19nS | 465pF | 0.28 Ом | IPAK | |
|
|
|