vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRLR014
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRLR014

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: D-PAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N6795 MOSFETN-channel25W60V 8A75/45nS900pF0.018 ОмTO-205AF
    2N6795-SM MOSFETN-Channel25W60V 8A--0.18 ОмTO220SM
    2SJ424 MOSFETP-Channel30W60V 8A 580pF0.28 ОмFM20
    2SJ528 MOSFETP-Channel20W60V ±20V7A 400pF0.24 ОмDPAK
    IRFF024 MOSFETN-Channel20W60V 8A14/37nS640pF0.17 ОмTO39
    IRFR010 MOSFETN-Channel25W50V 8.2A D-PAK
    IRFU010 MOSFETN-Channel25W50V 8.2A I-PAK
    IRFU014 MOSFETN-Channel25W60V 8.2A I-PAK
    IRLR010 MOSFETN-Channel25W50V 8.2A D-PAK
    IRLSZ14A MOSFETN-Channel20W60V 8A10nS265pF0.155 ОмTO-220F
    IRLU010 MOSFETN-Channel25W50V 8.2A I-PAK
    IRLU014 MOSFETN-Channel25W60V 8.2A I-PAK
    IRLZ10 MOSFETN-Channel30W50V 8A TO-220
    IRLZ14 MOSFETN-Channel30W60V 8A TO-220
    SFS2955 MOSFETP-Channel29W60V 7.3A19nS465pF0.3 ОмTO-220F
    SFS9Z24 MOSFETP-Channel29W60V 7.5A19nS465pF0.28 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика