|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFT32N50QОсновные параметры полевого транзистора IXFT32N50Q - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 32A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.15 Ом
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: TO268
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| IXFH26N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 26A | | | 0.20 Ом | TO247 | | IXFH26N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 26A | | | 0.20 Ом | TO247 | | IXFH26N60Q |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 28A | | | 0.25 Ом | TO247 | | IXFH30N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 30A | | | 0.16 Ом | TO247 | | IXFH32N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO247 | | IXFH32N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO247 | | IXFJ32N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO268 | | IXFK26N60Q |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 28A | | | 0.25 Ом | TO264 | | IXFK32N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO268 | | IXFK32N60 |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 32A | | | 0.25 Ом | TO264 | | IXFK33N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 33A | | | 0.16 Ом | TO264 | | IXFK35N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 35A | | | 0.15 Ом | TO264 | | IXFK36N60 |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 36A | | | 0.18 Ом | TO264 | | IXFN32N60 |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 32A | | | 0.25 Ом | SOT227B | | IXFN36N60 |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 36A | | | 0.18 Ом | SOT227B | | IXFR30N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 30A | | | 0.16 Ом | TO247 | | IXFR32N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 30A | | | 0.15 Ом | TO247 | | IXFT26N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 26A | | | 0.20 Ом | TO268 | | IXFT26N60Q |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 28A | | | 0.25 Ом | TO268 | | IXFT30N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 30A | | | 0.16 Ом | TO268 | | IXFT32N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO268 | | IXFX28N60 |
MOSFET | N-Channel | | 600V | | | 28A | | | 0.25 Ом | TO247 | | IXFX32N50Q |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 32A | | | 0.15 Ом | TO247 | | IXTH30N45 |
MOSFET | N-Channel | | 450V | | | 30A | | | 0.16 Ом | TO247 | | IXTH30N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 30A | | | 0.17 Ом | TO247 | | IXTH33N45 |
MOSFET | N-Channel | | 450V | | | 33A | | | 0.16 Ом | TO247 | | IXTK33N45 |
MOSFET | N-Channel | | 450V | | | 33A | | | 0.16 Ом | TO264 | | IXTK33N50 |
MOSFET | N-Channel | | 500V | | | 33A | | | 0.17 Ом | TO264 | |
|
|
|