vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTH33N45
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTH33N45

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 33A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.16 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFH30N50 MOSFETN-Channel 500V 30A 0.16 ОмTO247
    IXFH32N50 MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO247
    IXFH32N50Q MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO247
    IXFJ32N50Q MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO268
    IXFK32N50Q MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO268
    IXFK33N50 MOSFETN-Channel 500V 33A 0.16 ОмTO264
    IXFK35N50 MOSFETN-Channel 500V 35A 0.15 ОмTO264
    IXFR30N50Q MOSFETN-Channel 500V 30A 0.16 ОмTO247
    IXFR32N50Q MOSFETN-Channel 500V 30A 0.15 ОмTO247
    IXFT30N50 MOSFETN-Channel 500V 30A 0.16 ОмTO268
    IXFT32N50 MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO268
    IXFT32N50Q MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO268
    IXFX32N50Q MOSFETN-Channel 500V 32A 0.15 ОмTO247
    IXTH30N45 MOSFETN-Channel 450V 30A 0.16 ОмTO247
    IXTH30N50 MOSFETN-Channel 500V 30A 0.17 ОмTO247
    IXTK33N45 MOSFETN-Channel 450V 33A 0.16 ОмTO264
    IXTK33N50 MOSFETN-Channel 500V 33A 0.17 ОмTO264
    Яндекс.Метрика