vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTH68N20
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTH68N20

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 68A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.035 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT20M40BVR MOSFETN-Channel 200V 59A 0.040 ОмN/A
    IXFH58N20 MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFH58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFK72N20 MOSFETN-Channel 200V 72A 0.035 ОмTO264
    IXFK80N20 MOSFETN-Channel 200V 80A 0.03 ОмTO264
    IXFR80N20Q MOSFETN-Channel 200V 80A 0.03 ОмTO247
    IXFT58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO268
    IXTK74N20 MOSFETN-Channel 200V 74A 0.035 ОмTO264
    Яндекс.Метрика