|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT20M40BVRОсновные параметры полевого транзистора APT20M40BVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 59A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.040 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIXFH50N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 50A | | | 0.045 Ом | TO247 | IXFH58N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 58A | | | 0.04 Ом | TO247 | IXFH58N20Q |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 58A | | | 0.04 Ом | TO247 | IXFM50N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 50A | | | 0.045 Ом | TO268 | IXFR58N20Q |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 50A | | | 0.04 Ом | TO247 | IXFT58N20Q |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 58A | | | 0.04 Ом | TO268 | IXTH50N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 50A | | | 0.045 Ом | TO247 | IXTH68N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 68A | | | 0.035 Ом | TO247 | IXTM50N20 |
MOSFET | N-Channel | | 200V | | | 50A | | | 0.045 Ом | TO204 | |
|
|
|