vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM50N20
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM50N20

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 50A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.045 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT20M40BVR MOSFETN-Channel 200V 59A 0.040 ОмN/A
    FRK260D MOSFETN-Channel 200V 46A 0.070 ОмN/A
    FRK260H MOSFETN-Channel 200V 46A 0.070 ОмN/A
    FRK260R MOSFETN-Channel 200V 46A 0.070 ОмN/A
    FSJ260D MOSFETN-Channel 200V 44A 0.050 ОмTO254AA
    FSJ260R MOSFETN-Channel 200V 44A 0.050 ОмTO254AA
    IXFH42N20 MOSFETN-Channel 200V 42A 0.06 ОмTO247
    IXFH50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO247
    IXFH58N20 MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFH58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO247
    IXFM42N20 MOSFETN-Channel 200V 42A 0.06 ОмTO268
    IXFM50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO268
    IXFR58N20Q MOSFETN-Channel 200V 50A 0.04 ОмTO247
    IXFT58N20Q MOSFETN-Channel 200V 58A 0.04 ОмTO268
    IXTH42N20 MOSFETN-Channel 200V 42A 0.06 ОмTO247
    IXTH50N20 MOSFETN-Channel 200V 50A 0.045 ОмTO247
    IXTM42N20 MOSFETN-Channel 200V 42A 0.06 ОмTO204
    Яндекс.Метрика