|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора MNT-LB32N20Основные параметры полевого транзистора MNT-LB32N20 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 32A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: SmartC2
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUZ900X4S |
MOSFET | N-Channel | 500W | 160V | | | 32A | - | - | - Ом | SOT227 | BUZ901X4S |
MOSFET | N-Channel | 500W | 200V | | | 32A | - | - | - Ом | SOT227 | BUZ905X4S |
MOSFET | P-Channel | 500W | 160V | | | 32A | - - | - | - Ом | SOT227 | BUZ906X4S |
MOSFET | P-Channel | 500W | 200V | | | 32A | - | - | - Ом | SOT227 | MNT-LB32N16 |
MOSFET | N-Channel | 500W | 160V | | | 32A | - | - | - Ом | SmartC2 | MNT-LB32N16-C4 |
MOSFET | N/Pchanne | 500W | 160V | | | 32A | - | - | - Ом | SmartC4 | MNT-LB32N20-C4 |
MOSFET | N/Pchanne | 500W | 200V | | | 32A | - | - | - Ом | SmartC4 | |
|
|
|