vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора MNT-LB32N20-C4
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора MNT-LB32N20-C4

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N/Pchanne
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 32A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): -
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: SmartC4
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ900X4S MOSFETN-Channel500W160V 32A--- ОмSOT227
    BUZ901X4S MOSFETN-Channel500W200V 32A--- ОмSOT227
    BUZ905X4S MOSFETP-Channel500W160V 32A- --- ОмSOT227
    BUZ906X4S MOSFETP-Channel500W200V 32A--- ОмSOT227
    MNT-LB32N16 MOSFETN-Channel500W160V 32A--- ОмSmartC2
    MNT-LB32N16-C4 MOSFETN/Pchanne500W160V 32A--- ОмSmartC4
    MNT-LB32N20 MOSFETN-Channel500W200V 32A--- ОмSmartC2
    Яндекс.Метрика