|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDC652PОсновные параметры полевого транзистора NDC652P - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.6W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.11 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SJ484 |
MOSFET | P-Channel | 1W | 30V | | ±20V | 2A | | 230pF | - Ом | UPAK | 2SK2979 |
MOSFET | N-Channel | 1W | 30V | | ±20V | 2.5A | | 200pF | - Ом | UPAK | |
|
|
|