Справка

Основные параметры полевого транзистора 2SK2979

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 200pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
  
• Производитель: HITACHI
  
• Тип корпуса: UPAK
• Найти datasheet