vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDP5060L
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора NDP5060L

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 68W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 26A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.035 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ544 MOSFETP-Channel75W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмTO-220AB
    2SJ553 MOSFETP-Channel75W60V ±20V30A 2500pF0.038 ОмLDPAK
    IRFIZ34A MOSFETN-Channel77W60V 30A54nS1040pF0.04 ОмI2PAK
    IRFWZ34A MOSFETN-Channel77W60V 30A54nS1040pF0.04 ОмTO-263
    IRFZ34A MOSFETN-Channel77W60V 30A54nS1040pF0.04 ОмTO-220
    NDB5060 MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.05 ОмTO-263
    NDB5060L MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.035 ОмTO-263
    NDP5060 MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.05 ОмTO-220
    STK22N05 MOSFETN-Channel65W50V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK22N06 MOSFETN-Channel65W60V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK23N05L MOSFETN-Channel65W50V 23A 0.055 ОмSOT-82
    STK23N06L MOSFETN-Channel65W60V 23A 0.055 ОмSOT-82
    STP21N05L MOSFETN-Channel80W50V 21A 0.085 ОмTO-220
    STP21N06L MOSFETN-Channel80W60V 21A 0.085 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика