vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK1184

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора 2SK1184

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 260pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.8 Ом
Производитель: SANKEN
Тип корпуса: FM20
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6798	MOSFET	N-Channel	25W	200V			5.5A	50/40nS	900pF	0.4 Ом	TO-205AF
2N6798JANTX	MOSFET	N-Channel	25W	200V			5.5A	50/40nS	900pF	0.4 Ом	TO-205AF
2N6798JANTXV	MOSFET	N-Channel	25W	200V			5.5A	50/40nS	900pF	0.4 Ом	TO-205AF
2N6798SM	MOSFET	N-Channel	25W	200V			5.5A	-	-	0.4 Ом	TO220SM
IRFF230	MOSFET	N-Channel	25W	200V			5.5A	30/50nS	600pF	0.46 Ом	TO39
IRFF9230	MOSFET	P-Channel	25W	200V			4A	50/100nS	700pF	1.68 Ом	TO39
IRFS620	MOSFET	N-Channel	30W	200V			5A				TO-220
IRFS620A	MOSFET	N-Channel	32W	200V			4.1A	17nS	275pF	0.8 Ом	TO-220F
IRFS622	MOSFET	N-Channel	30W	200V			4A				TO-220
IRFS9630	MOSFET	P-Channel	35W	200V			6.5A				TO-220
IRFS9632	MOSFET	P-Channel	35W	200V			5.5A				TO-220
IRLR220A	MOSFET	N-Channel	33W	200V			4.6A	15nS	330pF	0.8 Ом	DPAK
IRLS620A	MOSFET	N-Channel	26W	200V			4.1A	15nS	330pF	0.8 Ом	TO-220F
IRLS630A	MOSFET	N-Channel	36W	200V			6.5A	27nS	580pF	0.4 Ом	TO-220F
IRLU220A	MOSFET	N-Channel	33W	200V			4.6A	15nS	330pF	0.8 Ом	IPAK
STP7N20FI	MOSFET	N-Channel	30W	200V			4.5A			0.650 Ом	ISOWATT220