vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF13N90
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SDF13N90

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
    • Производитель: SOLITRON
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT1001R1BVFR MOSFETN-Channel280W1000V 11A200nS30501.000 ОмN/A
    APT1001RBVR MOSFETN-Channel280W1000V 11A 30501.000 ОмN/A
    APT1001RSVR MOSFETN-Channel280W1000V 11A 30501.000 ОмN/A
    APT10088HVR MOSFETN-Channel250W1000V 11A185nS37000.88 ОмSMD3
    APT8058HVR MOSFETN-Channel250W1000V 13.5A185nS37000.58 ОмSMD3
    APT8065BVFR MOSFETN-Channel280W800V 13A200nS30500.650 ОмN/A
    APT8065BVR MOSFETN-Channel280W800V 13A 30500.650 ОмN/A
    APT8065SVR MOSFETN-Channel280W800V 13A 30500.650 ОмN/A
    APT8075BN MOSFETN-Channel310W800V 13A88nS24100.750 ОмN/A
    APT8075BVR MOSFETN-Channel260W800V 12A 26000.750 ОмN/A
    BFC41 MOSFETN-Channel310W1000V 11A-2400pF1.00 ОмTO247
    BFC44 MOSFETN-Channel310W800V 13A-2410pF0.80 ОмTO247
    SDF11N100GAF MOSFETN-Channel300W1000V 11A 1.15 ОмN/A
    SDF11N90GAF MOSFETN-Channel300W900V 11A 0.95 ОмN/A
    SDF12N100 MOSFETN-Channel300W1000V 12A 1 ОмN/A
    SDF12N90 MOSFETN-Channel300W900V 12A 0.9 ОмN/A
    SML1001RBN MOSFETN-Channel310W1000V 11A30/95nS2950pF1.0 ОмTO247
    SML100H11 MOSFETN-Channel250W1000V 11A 3700pF0.885 ОмTO-258
    SML100S11 MOSFETN-Channel280W1000V 11A12/60nS3050pF1 ОмD3PAK
    SML8075BN MOSFETN-Channel310W800V 13A27/94nS2950pF0.75 ОмTO247
    SML8075HN MOSFETN-Channel250W800V 11.5A30/96nS2950pF0.75 ОмTO258
    SML8090BN MOSFETN-Channel310W800V 12A27/94nS2950pF0.9 ОмTO247
    SML80B12 MOSFETN-Channel260W800V 12A12/50nS2700pF0.75 ОмTO-247
    SML80B13 MOSFETN-Channel280W800V 13A12/60nS3050pF0.65 ОмTO-247
    SML80H14 MOSFETN-Channel250W800V 13.5A 3700pF0.58 ОмTO-258
    SML80S13 MOSFETN-Channel280W800V 13A12/60nS3050pF0.65 ОмD3PAK
    Яндекс.Метрика