Основные параметры полевого транзистора APT1001RBVR

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 280W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 3050
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.000 Ом
Производитель: Advanced Power
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
APT1001R1BVFR	MOSFET	N-Channel	280W	1000V			11A	200nS	3050	1.000 Ом	N/A
APT1001RSVR	MOSFET	N-Channel	280W	1000V			11A		3050	1.000 Ом	N/A
APT10088HVR	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			11A	185nS	3700	0.88 Ом	SMD3
APT8058HVR	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			13.5A	185nS	3700	0.58 Ом	SMD3
APT8065BVFR	MOSFET	N-Channel	280W	800V			13A	200nS	3050	0.650 Ом	N/A
APT8065BVR	MOSFET	N-Channel	280W	800V			13A		3050	0.650 Ом	N/A
APT8065SVR	MOSFET	N-Channel	280W	800V			13A		3050	0.650 Ом	N/A
APT8075BN	MOSFET	N-Channel	310W	800V			13A	88nS	2410	0.750 Ом	N/A
APT8075BVR	MOSFET	N-Channel	260W	800V			12A		2600	0.750 Ом	N/A
BFC21	MOSFET	N-Channel	230W	1000V			9.5A	-	2460pF	1.10 Ом	TO264AA
BFC22	MOSFET	N-Channel	230W	800V			11.5A	-	2410pF	0.75 Ом	TO264AA
BFC41	MOSFET	N-Channel	310W	1000V			11A	-	2400pF	1.00 Ом	TO247
BFC44	MOSFET	N-Channel	310W	800V			13A	-	2410pF	0.80 Ом	TO247
BFC45	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	-	1500pF	1.25 Ом	TO247
SDF10N100JEA	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			10A			1.2 Ом	N/A
SDF10N100JEB	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			10A			1.2 Ом	N/A
SDF10N100JEC	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			10A			1.2 Ом	N/A
SDF10N100JED	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			10A			1.2 Ом	N/A
SDF10N100SXH	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			10A			1.2 Ом	N/A
SDF10N90	MOSFET	N-Channel	300W	900V			10A			1.1 Ом	N/A
SDF11N100GAF	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			11A			1.15 Ом	N/A
SDF11N90GAF	MOSFET	N-Channel	300W	900V			11A			0.95 Ом	N/A
SDF12N100	MOSFET	N-Channel	300W	1000V			12A			1 Ом	N/A
SDF12N90	MOSFET	N-Channel	300W	900V			12A			0.9 Ом	N/A
SDF13N90	MOSFET	N-Channel	300W	900V			13A			0.85 Ом	N/A
SDF9NA80	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A			1.4 Ом	N/A
SML1001R1AN	MOSFET	N-Channel	230W	1000V			9.5A	30/95nS	2950pF	1.1 Ом	TO3
SML1001R1BN	MOSFET	N-Channel	230W	1000V			10.5A	30/95nS	2950pF	1.1 Ом	TO247
SML1001R1HN	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			9.5A	30/95nS	2950pF	1.1 Ом	TO258
SML1001R3HN	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			9.A	30/95nS	2950pF	1.3 Ом	TO258
SML1001RAN	MOSFET	N-Channel	230W	1000V			9.5A	30/95nS	2950pF	1.0 Ом	TO3G100
SML1001RBN	MOSFET	N-Channel	310W	1000V			11A	30/95nS	2950pF	1.0 Ом	TO247
SML1001RHN	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			10A	30/95nS	2950pF	1.0 Ом	TO258
SML100H11	MOSFET	N-Channel	250W	1000V			11A		3700pF	0.885 Ом	TO-258
SML100S11	MOSFET	N-Channel	280W	1000V			11A	12/60nS	3050pF	1 Ом	D3PAK
SML801R2BN	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	26/81nS	1800pF	1.2 Ом	TO247
SML8075AN	MOSFET	N-Channel	230W	800V			11.5A	27/94nS	2950pF	0.75 Ом	TO3
SML8075BN	MOSFET	N-Channel	310W	800V			13A	27/94nS	2950pF	0.75 Ом	TO247
SML8075HN	MOSFET	N-Channel	250W	800V			11.5A	30/96nS	2950pF	0.75 Ом	TO258
SML8090AN	MOSFET	N-Channel	230W	800V			10.5A	27/94nS	2950pF	0.9 Ом	TO3
SML8090BN	MOSFET	N-Channel	310W	800V			12A	27/94nS	2950pF	0.9 Ом	TO247
SML8090HN	MOSFET	N-Channel	250W	800V			10.5A	30/96nS	2950pF	0.9 Ом	TO258
SML80B12	MOSFET	N-Channel	260W	800V			12A	12/50nS	2700pF	0.75 Ом	TO-247
SML80B13	MOSFET	N-Channel	280W	800V			13A	12/60nS	3050pF	0.65 Ом	TO-247
SML80H14	MOSFET	N-Channel	250W	800V			13.5A		3700pF	0.58 Ом	TO-258
SML80S13	MOSFET	N-Channel	280W	800V			13A	12/60nS	3050pF	0.65 Ом	D3PAK
SSH10N80A	MOSFET	N-Channel	280W	800V			10A	172nS	2700pF	0.95 Ом	TO-3P
SSH10N90A	MOSFET	N-Channel	280W	900V			10A	176nS	2770pF	1.2 Ом	TO-3P
SSH9N80A	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	127nS	2020pF	1.3 Ом	TO-3P
SSH9N90A	MOSFET	N-Channel	280W	900V			9A	176nS	2770pF	1.4 Ом	TO-3P