vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK1290
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SK1290

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 30A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.045 Ом
    • Производитель: NEC
    • Тип корпуса: MP-25
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2929 MOSFETN-Channel50W60V ±20V25A 740pF0.045 ОмTO-220AB
    2SK2930 MOSFETN-Channel50W60V ±20V35A 1100pF0.032 ОмTO-220AB
    2SK2938 MOSFETN-Channel50W60V ±20V25A 740pF0.045 ОмLDPAK
    2SK2939 MOSFETN-Channel50W60V ±20V35A 1100pF0.032 ОмLDPAK
    FBD5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-263
    FDB5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A23nS 0.027 ОмTO-263
    FDD5690 MOSFETN-Channel50W60V 30A32nS1110pF0.027 ОмDPAK
    FDP5690 MOSFETN-Channel58W60V 32A 0.027 ОмTO-220
    IRLZ40 MOSFETN-Channel50W50V 35A TO-220
    NDB5060 MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.05 ОмTO-263
    NDB5060L MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.035 ОмTO-263
    NDP5060 MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.05 ОмTO-220
    NDP5060L MOSFETN-Channel68W60V 26A 0.035 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика