vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1004R2AN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML1004R2AN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 23/50nS
    • Входная емкость (Сiss): 950pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.2 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT1004RKN MOSFETN-Channel125W1000V 3.6A35nS8054.000 ОмN/A
    BFC61 MOSFETN-Channel125W1000V 3.6A-805pF4.00 ОмTO220
    SML1004R2CN MOSFETN-Channel125W1000V 3.3A20/50nS950pF4.2 ОмTO254
    SML1004R2KN MOSFETN-Channel125W1000V 3.5A20/48nS950pF4.2 ОмTO220
    SML1004RAN MOSFETN-Channel150W1000V 3.9A23/50nS950pF4 ОмTO3
    SML1004RCN MOSFETN-Channel125W1000V 3.6A20/50nS950pF4 ОмTO254
    SML1004RKN MOSFETN-Channel125W1000V 3.6A20/48nS950pF4 ОмTO220
    SML100C4 MOSFETN-Channel125W1000V 3.6A 805pF4 ОмTO-254
    Яндекс.Метрика