|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BFC61Основные параметры полевого транзистора BFC61 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): 805pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.00 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT1004RKN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.6A | 35nS | 805 | 4.000 Ом | N/A | SML1004R2AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 1000V | | | 3.5A | 23/50nS | 950pF | 4.2 Ом | TO3 | SML1004R2CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.3A | 20/50nS | 950pF | 4.2 Ом | TO254 | SML1004R2GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 1000V | | | 3A | 20/50nS | 950pF | 4.2 Ом | TO257 | SML1004R2KN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.5A | 20/48nS | 950pF | 4.2 Ом | TO220 | SML1004RAN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 1000V | | | 3.9A | 23/50nS | 950pF | 4 Ом | TO3 | SML1004RCN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.6A | 20/50nS | 950pF | 4 Ом | TO254 | SML1004RGN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 1000V | | | 3.3A | 20/50nS | 950pF | 4 Ом | TO257 | SML1004RKN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.6A | 20/48nS | 950pF | 4 Ом | TO220 | SML100C4 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 1000V | | | 3.6A | | 805pF | 4 Ом | TO-254 | SSI3N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | 38nS | 585pF | 4.8 Ом | I2PAK | SSI3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | I2PAK | SSP3N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | 38nS | 585pF | 4.8 Ом | TO-220 | SSP3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | TO-220 | SSW3N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | 38nS | 585pF | 4.8 Ом | TO-263 | SSW3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | TO-263 | STP3N100 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 1000V | | | 3.5A | | | 5.000 Ом | TO-220 | STP3N90 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3.2A | | | 4.500 Ом | TO-220 | STP3NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | | | 4.500 Ом | TO-220 | STP4N90 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3.6A | | | 3.500 Ом | TO-220 | STP4NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3.8A | | | 3.500 Ом | TO-220 | STV3NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3.2A | | | 4.500 Ом | PowerSO-10 | STV4NA80 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 800V | | | 3.8A | | | 3.000 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|