|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML50M60BFNОсновные параметры полевого транзистора SML50M60BFN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 830W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 78A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 40/188nS
- Входная емкость (Сiss): 13000pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.06 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: F-Pack
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT40M35JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 400V | | | 93A | | 16800 | 0.035 Ом | N/A | APT40M42JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 400V | | | 86A | 507nS | 1140 | 0.042 Ом | N/A | APT50M50JVFR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | 300nS | 16300 | 0.050 Ом | N/A | APT50M50JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | | 16300 | 0.050 Ом | N/A | APT50M60JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 475nS | 1640 | 0.060 Ом | N/A | BFC18 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 45/100nS | 14000pF | 0.060 Ом | SOT227 | BFC19 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 400V | | | 86A | 40/95nS | 14000pF | 0.042 Ом | SOT227 | SDF85NA50HI |
MOSFET | N-Channel | 850W | 500V | | | 86A | | | 0.07 Ом | N/A | SDF85NA50JD |
MOSFET | N-Channel | 850W | 500V | | | 86A | | | 0.07 Ом | N/A | SML40J93 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 400V | | | 93A | 25/88nS | 16000pF | 0.035 Ом | SOT-227 | SML50J77 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | 25/77nS | 16300pF | 0.05 Ом | SOT-227 | SML60M90BFN |
MOSFET | N-Channel | 830W | 600V | | | 63A | 40/195nS | 13000pF | 0.09 Ом | F-Pack | |
|
|
|