Справка

Основные параметры полевого транзистора APT50M50JVFR

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 700W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 77A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 300nS
  
• Входная емкость (Сiss): 16300
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.050 Ом
  
• Производитель: Advanced Power
  
• Тип корпуса: N/A
• Найти datasheet