|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSF6N90AОсновные параметры полевого транзистора SSF6N90A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 90W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 95nS
- Входная емкость (Сiss): 1560pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.3 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3PF
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSDF4N100JAA |
MOSFET | N-Channel | 100W | 1000V | | | 4A | | | 3.5 Ом | N/A | SDF4N100JAB |
MOSFET | N-Channel | 100W | 1000V | | | 4A | | | 3.5 Ом | N/A | SDF4N90JAA |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 4A | | | 2.4 Ом | N/A | SDF4N90JAB |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 4A | | | 2.4 Ом | N/A | SML802R4GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4.3A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO257 | SML802R8GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO257 | SSF5N80A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 800V | | | 4A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-3PF | SSF5N90A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 900V | | | 4A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-3PF | SSF6N80A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 4.5A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-3PF | |
|
|
|