vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF4N90JAA
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SDF4N90JAA

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
    • Производитель: SOLITRON
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SDF4N100JAA MOSFETN-Channel100W1000V 4A 3.5 ОмN/A
    SDF4N100JAB MOSFETN-Channel100W1000V 4A 3.5 ОмN/A
    SDF4N90JAB MOSFETN-Channel100W900V 4A 2.4 ОмN/A
    SML802R4GN MOSFETN-Channel100W800V 4.3A20/53nS950pF2.4 ОмTO257
    SML802R8GN MOSFETN-Channel100W800V 4A20/53nS950pF2.8 ОмTO257
    SSF5N80A MOSFETN-Channel85W800V 4A72nS1100pF2.2 ОмTO-3PF
    SSF5N90A MOSFETN-Channel85W900V 4A74nS1110pF2.9 ОмTO-3PF
    SSF6N80A MOSFETN-Channel90W800V 4.5A92nS1500pF2 ОмTO-3PF
    SSF6N90A MOSFETN-Channel90W900V 4.5A95nS1560pF2.3 ОмTO-3PF
    SSI4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмI2PAK
    SSI4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмI2PAK
    SSP4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-220
    SSP4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-220
    SSW4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-263
    SSW4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-263
    Яндекс.Метрика