|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSF9N80AОсновные параметры полевого транзистора SSF9N80A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 95W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 127nS
- Входная емкость (Сiss): 2020pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.3 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3PF
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| SSF10N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 6.5A | 172nS | 2700pF | 0.95 Ом | TO-3PF | | SSF10N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 6.5A | 176nS | 2770pF | 1.2 Ом | TO-3PF | | SSF6N70A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 700V | | | 5A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-3PF | | SSF7N80A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 5A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-3PF | | SSF7N90A |
MOSFET | N-Channel | 95W | 900V | | | 5A | 130nS | 2070pF | 1.8 Ом | TO-3PF | | SSF8N80A |
MOSFET | N-Channel | 95W | 800V | | | 5.5A | 127nS | 2020pF | 1.5 Ом | TO-3PF | | SSF8N90A |
MOSFET | N-Channel | 95W | 900V | | | 5.5A | 130nS | 2070pF | 1.6 Ом | TO-3PF | | SSF9N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 6A | 176nS | 2770pF | 1.4 Ом | TO-3PF | |
|
|
|