|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSF6N70AОсновные параметры полевого транзистора SSF6N70A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 85W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 54nS
- Входная емкость (Сiss): 920pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3PF
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSDF4N60 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 600V | | | 4A | | | 2.1 Ом | N/A | SDF6N60JAA |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | | | 1.2 Ом | N/A | SDF6N60JAB |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | | | 1.2 Ом | N/A | SDFC40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6.2A | | | 1.2 Ом | N/A | SML601R3GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | 20/54nS | 950pF | 1.3 Ом | TO257 | SML601R6GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 5A | 20/54nS | 950pF | 1.6 Ом | TO257 | SML802R4GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4.3A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO257 | SML802R8GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO257 | SSF10N60A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 600V | | | 6.9A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-3PF | SSF10N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 6.5A | 172nS | 2700pF | 0.95 Ом | TO-3PF | SSF5N80A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 800V | | | 4A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-3PF | SSF6N80A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 4.5A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-3PF | SSF7N60A |
MOSFET | N-Channel | 86W | 600V | | | 5.4A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-3PF | SSF7N80A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 5A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-3PF | SSF8N80A |
MOSFET | N-Channel | 95W | 800V | | | 5.5A | 127nS | 2020pF | 1.5 Ом | TO-3PF | SSF9N80A |
MOSFET | N-Channel | 95W | 800V | | | 6A | 127nS | 2020pF | 1.3 Ом | TO-3PF | SSI4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | I2PAK | SSP4N60 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 600V | | | 4A | | | | TO-220 | SSP4N60AS |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-220 | SSW4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-263 | STH9N80FI |
MOSFET | N-Channel | 70W | 800V | | | 5.6A | | | | ISO218 | STP4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.3A | | | 2.200 Ом | TO-220 | STP5N60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 5.6A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STV4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.4A | | | 2.200 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|