vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSI2N90A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSI2N90A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 33nS
    • Входная емкость (Сiss): 435pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 7 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: I2PAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SD10425JAA MOSFETN-Channel75W1000V 2A 6 ОмN/A
    SDF2N100JAA MOSFETN-Channel75W1000V 2A 6 ОмN/A
    SDF2N100JAB MOSFETN-Channel75W1000V 2A 6 ОмN/A
    SSI2N80A MOSFETN-Channel80W800V 2A30nS425pF6 ОмI2PAK
    SSP2N80A MOSFETN-Channel80W800V 2A30nS425pF6 ОмTO-220
    SSP2N90A MOSFETN-Channel80W900V 2A33nS435pF7 ОмTO-220
    SSW2N80A MOSFETN-Channel80W800V 2A30nS425pF6 ОмTO-263
    SSW2N90A MOSFETN-Channel80W900V 2A33nS435pF7 ОмTO-263
    STK2N80 MOSFETN-Channel70W800V 2.1A 7.000 ОмSOT-82
    STP2N80 MOSFETN-Channel90W800V 2.4A 7.000 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика