|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSW2N80AОсновные параметры полевого транзистора SSW2N80A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 30nS
- Входная емкость (Сiss): 425pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 6 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-263
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSSI2N80A |
MOSFET | N-Channel | 80W | 800V | | | 2A | 30nS | 425pF | 6 Ом | I2PAK | SSI2N90A |
MOSFET | N-Channel | 80W | 900V | | | 2A | 33nS | 435pF | 7 Ом | I2PAK | SSP2N80A |
MOSFET | N-Channel | 80W | 800V | | | 2A | 30nS | 425pF | 6 Ом | TO-220 | SSP2N90A |
MOSFET | N-Channel | 80W | 900V | | | 2A | 33nS | 435pF | 7 Ом | TO-220 | SSW2N90A |
MOSFET | N-Channel | 80W | 900V | | | 2A | 33nS | 435pF | 7 Ом | TO-263 | STK2N80 |
MOSFET | N-Channel | 70W | 800V | | | 2.1A | | | 7.000 Ом | SOT-82 | STP2N80 |
MOSFET | N-Channel | 90W | 800V | | | 2.4A | | | 7.000 Ом | TO-220 | |
|
|
|